国内刊号:51-1311/O4
国际刊号:1001-4322
发布日期:
作者:姜伯承, 张耀, 蔡承颖,
关键词:双高频系统, 相位调制, 束团拉伸, 束内散射,
高次谐波腔在电子储存环中被广泛应用,他可以拉伸电子束团长度、降低束团峰值电流,从而减弱束内散射(IBS)效应、提高Touschek寿命,并提供Landau阻尼,这对于运行在超低发射度或低能区的储存环尤为重要。为了在不增加额外硬件成本的情况下进一步展拉伸团长度,研究在双高频系统中的相位调制方案。进行了逐圈模拟跟踪,跟踪程序包含了纵向运动逐圈迭代(包括相位调制)和同步辐射激发效应,并给出了相位调制引起束团展宽机理的简要理论分析。模拟结果表明,束团峰值电流可以在高次谐波腔作用后,经相位调制后进一步降低,从而减弱IBS效应并提高Touschek寿命。尽管调制会引起能散增加,导致来波荡器辐射的高次谐波辐射亮度降低,但基波辐射的亮度得到了提升。
来源:2026年第1期
《强激光与粒子束》期刊编辑部