强激光与粒子束

作者：谢鹏飞, 张永刚, 王丞乾, 吕文强, 武德勇, 郭林辉, 雷军, 王昭, 高松信,

关键词：高功率GaN蓝光二极管激光器, 性能退化, 二极管激光器封装, 气密封,

高功率GaN基蓝光二极管激光器在工业加工、铜材料焊接、3D打印和水下激光通信等技术领域有着广泛的应用前景。蓝光二极管激光芯片COS单元器件具有热阻低和尺寸小的优点，但是该器件存在可靠性较低的问题，导致其在工业化应用中受到一定限制，因此对其性能退化因素进行深入研究。基于光学显微技术、扫描电子显微表征和能谱分析手段对经过长时老化考核后器件的性能退化因素进行分析研究。实验研究和分析表明，GaN基体材料缺陷、腔面多余物沉积和光化学腐蚀是导致蓝光二极管激光芯片性能退化的主因，同时良好的气密性封装可提高二极管激光芯片的可靠性。

来源：2026年第1期

《强激光与粒子束》期刊编辑部

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