强激光与粒子束

作者：王祖军,

关键词：半导体激光器, 辐照损伤, 位移效应, 电离总剂量效应, 瞬时剂量率效应,

半导体激光器（LD）作为光源器件被广泛应用于光通信、测量、成像、显示、照明、工业加工、医疗诊断等领域，随着LD在空间光通信、大型强子对撞机、核工业等辐射环境中的大量应用，工作在空间辐射或核辐射环境中的LD会受到辐射损伤的问题日益突出，以LD为核心器件的光通信系统在辐射环境中的可靠性问题备受关注。鉴于国内外关于LD辐照损伤效应试验方法相关的研究报道较少，主要针对LD在辐射环境中应用时遭受的辐照损伤效应，参考与电子元器件辐射效应相关的国内外标准、规范、指南，结合LD辐照损伤效应试验、辐射粒子输运模拟计算、辐照效应仿真模拟、辐照损伤机理分析，从辐照试验源选取、试验流程、辐照偏置条件等方面开展LD辐照损伤效应试验方法研究，分别建立LD位移效应、电离总剂量效应、瞬时剂量率效应辐照试验流程，从而形成辐照损伤效应试验方法，为开展LD辐照损伤评估和抗辐射加固性能考核提供试验技术支撑。

来源：2025年第10期

《强激光与粒子束》期刊编辑部

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