强激光与粒子束

作者：王宇婷, 陈梦奇, 巨新,

关键词：辐照损伤, 中子衍射, 半导体器件, 微观结构, 极端条件,

中子衍射技术凭借其穿透能力、轻元素敏感性和动态探测优势，成为半导体材料研究的重要表征手段。该技术通过分析衍射峰特征，揭示材料的晶格畸变、应变分布和缺陷演化规律，为理解材料性能提供原子尺度依据。它能定量分析位错密度和阳离子占位等缺陷，并研究磁有序结构和自旋相互作用机制，支撑新型电子器件开发。其原位测试能力可实时观测相变过程中的缺陷重组动态，揭示外场作用下的结构响应机制，尤其在极端环境材料研究中克服了传统方法的局限。当前研究重点转向建立微观结构与宏观性能的关联模型，发展原位动态测试方法以精准预测材料行为。随着大型科学装置的升级，该技术将在半导体材料的基础研究和工程应用中发挥更大作用，特别是在苛刻环境材料开发领域前景广阔。未来发展方向将聚焦多尺度表征能力提升和原位实验方法创新，为半导体材料科学进步提供有力支撑。

来源：2025年第10期

《强激光与粒子束》期刊编辑部

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