国内刊号:51-1311/O4
国际刊号:1001-4322
发布日期:
作者:徐小恒, 马英起, 张龙龙, 王杰义, 林刘亮, 杨丹丹,
关键词:空间辐射环境, 南大西洋异常区, 辐射环境效应, 单粒子翻转, 在轨错误率,
空间辐射环境对航天电子器件的可靠性影响显著,其中单粒子翻转(Single Event Upset, SEU)是最具代表性的瞬态辐射效应之一。基于在轨静态随机存取存储器(SRAM)SEU监测数据,系统分析了SEU与空间环境参数的相关性。结果表明,97.5%的SEU事件集中发生在南大西洋异常区(SAA),并在磁壳层L≈1.24~1.25处出现峰值,其空间分布与≥10 MeV质子通量增强区高度一致。≥10 MeV质子通量与在轨软错误率(SER)呈显著幂律正相关(R≈0.73),表明高能质子是驱动SEU的主要因素。基于地面质子辐照试验截面和在轨能谱估算的理论SER与观测值在1个数量级内一致,但整体偏低,需扩展能谱范围以提高预测精度。在轨期间经历的3次小型太阳质子事件均未触发SEU,而地磁暴期间Dst指数下降伴随SER显著降低,表明地磁暴引发SAA区域质子通量衰减使得SEU发生频率降低。研究结果揭示了在轨SRAM器件SEU的空间分布规律及其驱动机理,为辐射效应建模、抗辐射设计和任务可靠性评估提供参考。
来源:2025年第10期
《强激光与粒子束》期刊编辑部