强激光与粒子束

作者：王方宝, 周磊簜, 张斯龙, 卢星, 王建峰, 赵乃哲, 张囡, 陈亮, 欧阳晓平,

关键词：GaN多量子阱, 辐射-光转换, 辐射测量, 半导体探测器, 闪烁体,

氮化镓（GaN）材料具有优异的光电性能，可以兼顾半导体和闪烁体的工作模式，在辐射探测领域有广泛的应用潜力。制备了一种由高阻氮化镓衬底层和同质外延多量子阱层串联组合的转换器件，实现了高能辐射在高阻衬底部分激发的载流子通过电场输运至多量子阱实现复合发光。实验表明，器件在工作模式下具有低的暗电流和对X射线灵敏的电学响应。在电场作用下，器件中多量子阱结构发光峰位于410 nm。发光强度随X射线剂量变化有明显提升。通过采集器件发光图像的方法直观验证了器件实现辐射到光信号的转换功能。

来源：2025年第10期

《强激光与粒子束》期刊编辑部

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