强激光与粒子束

作者：叶思恩, 黄丹阳, 付祥和, 赵小龙, 贺永宁,

关键词：4H-SiC探测器, 双极型晶体管, 电子束辐照, 响应电流, 紫外探测,

当光电晶体管偏置在5 V下，辐照前，其暗电流约为58 nA，对365 nm紫外光的响应度约为31 A/W；器件经过10 MeV电子束辐照后，暗电流的数量级下降到10−11 A，响应度下降到原来的1/8左右。辐照后，器件的响应度受偏置电压的影响明显，随着偏置电压的减小而下降，当光电晶体管偏置在3 V下，响应度下降到2.25 A/W。电子束辐照还会影响紫外探测器的开关响应，使响应的总时间变长。结合光电晶体管工作时的电路模型，电子束辐照后引起光产生电流减小、晶体管增益下降和串联电阻增大是引起光电探测器紫外响应性能退化的主要原因。

来源：2025年第5期

《强激光与粒子束》期刊编辑部

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