强激光与粒子束

作者：王亿明, 王凌云, 张东东, 周媛, 王志强, 刘征, 孔佑军,

关键词：固态开关串联, 驱动回路参数优化, 快前沿, SiC MOSFET,

随着SiC MOSFET器件快速开关特性的发展，其在需要高速、灵活高压脉冲输出的电路系统中得到广泛应用。研究表明，SiC MOSFET的导通时间主要受栅极驱动技术及其实现方式的影响，因此相关研究多聚焦于其栅极驱动方法优化。该研究通过对SiC MOSFET栅极驱动回路进行参数测试与优化设计，并将其应用于超快导通型SiC MOSFET器件，以实现导通时间的显著缩减。为验证优化效果，研究团队设计并制备了栅极升压驱动器的优化原型进行实验测试。测试数据表明，经过优化的栅极驱动电压调节方法有效提升了器件性能，在10 kV电压等级与50 A电流条件下，脉冲电压上升沿时间可达27 ns。

来源：2025年第3期

《强激光与粒子束》期刊编辑部

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