强激光与粒子束

北大核心,CA,INSPEC,JST,CSCD

国内刊号:51-1311/O4

国际刊号:1001-4322

强激光与粒子束杂志2024年第11期:异面结构雪崩GaAs光导开关的制备及特性测试

发布日期:

作者:杨迎香, 杨向红, 朱章杰, 黄嘉, 李昕, 胡龙,

关键词:砷化镓, 光导开关, 暗态泄漏电流, 输出特性, 寿命,

雪崩砷化镓光导开关(PCSS)因其超快开关速度、低触发抖动、光电隔离、高功率容量、高重复频率以及器件结构灵活的特点,得到广泛应用。制备封装了电极间隙为5 mm的异面结构GaAs光导开关,对不同偏置电场下(36~76 kV/cm)开关的暗态和开态的电学特性进行了测试分析,结果表明其具有百皮秒~纳秒量级的上升沿、低暗态泄漏电流(0.15~6.61 μA)、高耐压(18~38 kV)的特点。实验探究了开关工作次数与输出电压峰值的关系,结果表明随着工作次数的增大,输出电压幅值呈台阶型降低趋势,在20 kV、2 Hz条件下,开关寿命达4.0×104次。

来源:2024年第11期

《强激光与粒子束》期刊编辑部

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