强激光与粒子束

作者：杨彪, 孙逊, 李阳凡, 沙慧茹, 焦健, 李德强, 张雷, 栾崇彪, 肖龙飞, 陈秀芳, 徐现刚,

关键词：光导开关, GaN, 平顶光, 高斯光, 导通特性,

光斑是影响光导开关导通特性的重要因素之一。探索了激光能量分布对光导开关输出特性的影响，分别采用高斯光和平顶光对同一GaN光导开关导通特性进行了对比测试。结果表明，由于平顶光具有更均匀的能量分布，相比于高斯光触发，在相同外加偏置电压（800 V）下，电压转换效率提升了6.8%。在激光能量为500 μJ时的平顶光触发下进行了加压测试，最大峰值输出电压为4550 V，此时输出功率达到414 kW，上升时间为420 ps，下降时间为5 ns，导通电阻为13.7 Ω。

来源：2024年第11期

《强激光与粒子束》期刊编辑部

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