强激光与粒子束

作者：孙瑞泽, 陈万军, 刘超, 刘红华, 姚洪梅, 张波,

关键词：脉冲功率技术, 脉冲功率半导体开关, MOS栅控晶闸管, 电压控制, 重复脉冲,

近年来，采用新一代半导体开关替代传统气体或真空开关是脉冲功率系统的一种重要发展趋势。为了给脉冲功率半导体器件领域的技术发展提供参考，简要介绍了压控型脉冲功率半导体器件技术的发展历程，总结了MOS栅控晶闸管（MCT）在器件设计、工艺和可靠性等方面的研究进展，同时通过比较MCT与一般商业IGBT器件，阐述了MCT相比于其他功率脉冲半导体器件的优劣情况，并结合典型应用场景展示了MCT器件的优势，对压控型脉冲功率半导体器件的发展趋势进行了简要分析。

来源：2024年第9期

《强激光与粒子束》期刊编辑部

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