国内刊号:51-1311/O4
国际刊号:1001-4322
发布日期:
作者:黄保生, 杨武, 易勇, 毕鹏,
关键词:反应分子动力学模拟, 辉光放电聚合物, 力学性能, 硅掺杂,
构建了硅掺杂辉光放电聚合物(Si-GDP)模型,采用反应力场分子动力学模拟(ReaxFF MD)探讨了硅含量、碳氢比及密度对其杂化碳键合与力学性能的影响。研究结果表明:随着硅含量增加,聚合物中sp3C含量增加,趋向于形成一个大分子,同时小分子种类和数目减少,促进了碳硅原子成键并抑制端基CH3生成,进而提高材料力学性能;随着氢含量的增加,sp3C和端基CH3比例增加,生成的端基CH3降低了分子间交联程度,进而降低了材料力学性能,而分子基团数目变化不明显;随着密度的提升,聚合物中sp2C比例提升明显,sp3C比例有少量提升,分子基团数目变化不大,密度主要通过提升sp2C比例提升材料力学性能。研究结果为评估和理解硅掺杂辉光放电聚合物的结构和力学性能提供了新的视角和方法。
来源:2024年第6期
《强激光与粒子束》期刊编辑部