强激光与粒子束

作者：侯天昊, 范杰清, 赵强, 张芳, 郝建红, 董志伟,

关键词：Bulk FinFET, 短沟道效应, 器件性能, 参数优化, 栅极材料,

为研究Bulk FinFET工作时基本结构参数、器件温度和栅极材料对其性能的影响，建立了一个15 nm n型Bulk FinFET器件模型，仿真分析了不同栅长、鳍宽、鳍高、沟道掺杂浓度、器件工作温度、栅极材料对器件性能的影响，发现增长栅长、降低鳍宽和增加鳍高有助于抑制短沟道效应；1×1017 cm−3以下的低沟道掺杂浓度对器件特性影响不大，但高掺杂会使器件失效；器件工作温度的升高会导致器件性能的下降；采用高K介质材料作为栅极器件性能优于传统材料SiO2。

来源：2024年第3期

《强激光与粒子束》期刊编辑部

查看强激光与粒子束杂志2024年第3期