国内刊号:51-1311/O4
国际刊号:1001-4322
发布日期:
作者:李弋, 王浩淼, 张亮, 贺钰雯, 周坤, 杜维川, 何林安, 胡耀, 武德勇, 高松信, 唐淳,
关键词:半导体激光器, 泵浦源, 高效率, 腔面光学灾变损伤, 硒化锌,
设计并制备了780 nm大功率半导体激光器的单管和巴条。采用金属有机化学气相沉积技术制备的外延结构,分别使用GaAsP和GaInP作为量子阱和波导层,限制层是具有高带隙的AlGaInP材料。量子阱与波导层带隙0.15 eV,波导层与限制层带隙0.28 eV,抑制了载流子泄露。1.55 μm厚非对称大光学腔波导结构抑制快轴高阶模,同时缓解腔面损伤问题。为进一步提高腔面损伤阈值,利用超高真空解理和钝化技术,在腔面上沉积了非晶ZnSe钝化层。条宽150 μm、腔长4 mm的单管器件,在电流为15 A时,输出连续功率16.3 W未出现COD现象,斜率效率达到1.27 W/A,电光转换效率为58%,慢轴发散角9.9°,光谱半高宽为1.81 nm。填充因子为40%的厘米巴条,在192 A下实现连续输出功率180 W,电光转换效率为50.7%,光谱宽度仅为2.2 nm。
来源:2023年第11期
《强激光与粒子束》期刊编辑部