国内刊号：51-1311/O4
国际刊号：1001-4322
发布日期:
作者：罗燕, 丁蕾, 赵毅, 姚崇斌, 王立春,
关键词：光导半导体, SiC开关, 电极, 界面, 击穿场强,
研究电极结构、SiC与电极连接结构对界面场强的影响，通过电极边缘以及SiC晶体结构的优化降低界面处的电场增强，并通过高压试验测试优化电极结构的击穿电压。结果表明，优化电极倒角以及SiC晶体与电极的界面下埋可有效降低电场增强，在电极为圆倒角及界面使用焊料连接的结构下，使用介质环的器件在电压22 kV时击穿。
来源：2022年第6期
《强激光与粒子束》期刊编辑部