强激光与粒子束

作者：孙毅, 柴常春, 刘彧千, 李福星, 杨银堂,

关键词：CMOS与非门, 电磁脉冲, 干扰效应, 损伤效应, 脉宽效应,

利用Sentaurus-TCAD建立了CMOS与非门电路的二维电热模型，仿真研究了在电磁脉冲注入下，CMOS与非门电路产生的扰乱和损伤效应及其机理。结果表明，在EMP注入下，电路输出电压、内部的峰值温度呈周期性的“下降-上升”，当注入功率较大时，EMP撤销后输出电压停留在异常值，PMOS源极电流增加，温度不断上升，最终烧毁在PMOS源极，这是因为器件内部产生了闩锁效应。随着脉宽的增加, 损伤功率阈值减小而损伤能量阈值增大，通过数据拟合得到脉宽与损伤功率阈值和损伤能量阈值的关系。该结果可对EMP损伤效应进行评估并对器件级EMP抗毁伤加固设计具有指导作用。

来源：2021年第10期

《强激光与粒子束》期刊编辑部

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