强激光与粒子束

作者：何林安, 周坤, 张亮, 李弋, 杜维川, 胡耀, 高松信, 唐淳,

关键词：半导体激光器, 腔面灾变损伤, 光谱调控, ZnSe, 外腔反馈,

设计并制备了一款780 nm半导体激光器，并进行了外腔反馈锁模研究。利用金属有机化学气相沉积技术制备了激光器外延层，采用GaAsP/GaInP作为量子阱/波导层有源区，限制层采用低折射率AlGaInP材料。采用超高真空解理钝化技术，在激光器腔面蒸镀无定形ZnSe钝化层。未钝化器件在输出功率2.5 W时发生腔面灾变损伤（COD），钝化后器件未发生COD现象，电流在10 A时输出功率10.1 W，电光转换效率54%。体布拉格光栅（VBG）外腔锁定前后，器件的光谱半峰全宽分别为2.6 nm和0.06 nm，VBG变温调控波长范围约230 pm。

来源：2021年第9期

《强激光与粒子束》期刊编辑部

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