国内刊号:51-1311/O4
国际刊号:1001-4322
发布日期:
作者:史晓蕾, 陈锦晖, 王冠文, 王磊, 曾涛, 杨威, 王旭, 苏文同, 吴官健,
关键词:漂移阶跃恢复二极管, 磁饱和变压器, 纳秒脉冲电源, MOSFET,
漂移阶跃恢复二极管(DSRD)具有开关速度快、重频高、工作电流大等优点,在脉冲功率技术中很有应用前景。研究了一种基于磁饱和变压器的DSRD泵浦电路拓扑结构,具有体积小、重量轻、可靠性高等特点。根据DSRD的工作要求,采用功率MOSFET作为初级开关,结合磁饱和变压器的升压和磁开关特性,设计了DSRD的泵浦电路。利用Pspice软件对电路进行了仿真分析,验证了电路原理的正确性。在仿真分析的基础上,完成了一台原理样机的设计和电路实验。实验结果表明,该电源样机在前级充电电压800 V条件下,50 Ω负载上产生的脉冲幅值大于7 kV,前沿小于4.2 ns(10%~90%),半高宽约10 ns。
来源:2020年第2期
《强激光与粒子束》期刊编辑部