强激光与粒子束

作者：周守利, 张景乐, 吴建敏, 周赡成, 程元飞,

关键词：Ku波段, 砷化镓, 数字衰减器, 高衰减精度, 微波单片集成电路,

基于GaAs 0.25 μm增强/耗尽型（E/D）赝配高电子迁移率晶体管（pHEMT）工艺，研制了一款Ku波段6位数字衰减器微波单片集成电路（MMIC）。该6位数字衰减器由6个基本衰减位级联组成，可实现最大衰减量为31.5 dB、步进为0.5 dB的衰减量控制。采用简化的T型衰减结构，实现了0.5 dB和1 dB的衰减位。16 dB衰减位采用开关型衰减拓扑，在提高衰减平坦度的同时，有效降低其附加相移。测试结果表明，在12～18 GHz的频率内，数字衰减器衰减64态均方根误差（RMS）小于0.25 dB，附加相移为−0.5°～＋9.5°，插入损耗小于4.9 dB，输入输出驻波比均小于1.5∶1。芯片尺寸为3.00 mm×0.75 mm。该芯片电路具有宽频带、高衰减精度、小尺寸的特点，主要用于微波相控阵收发组件、无线通讯等领域。

来源：2019年第12期

《强激光与粒子束》期刊编辑部

查看强激光与粒子束杂志2019年第12期