强激光与粒子束

作者：肖龙飞, 徐现刚,

关键词：碳化硅, 物理气相传输法, 功率器件, 光导开关, 器件失效,

碳化硅作为第三代宽禁带半导体的核心材料之一，相对于传统的硅和砷化镓等半导体材料，具有禁带宽度大、载流子饱和迁移速度高，热导率高、临界击穿、场强高等诸多优异的性质。基于这些优良的特性，碳化硅材料是制备高温电子器件、高频大功率器件的理想材料。近年来在碳化硅材料生长和器件制备方面取得重大进展，对碳化硅材料特性和生长方法进行回顾，并研究了碳化硅光导开关偏压、触发能量、导通电流之间的关系，以及开关失效情况下电极表面的损伤情况。

来源：2019年第4期

《强激光与粒子束》期刊编辑部

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