强激光与粒子束

作者：曾洪波, 彭小梅, 王军,

关键词：纳米MOSFET, 受抑制散粒噪声, 射频, 噪声建模, 强反型区, 漏极电流噪声,

为了有效地表征纳米MOSFET强反型区下的射频噪声特性，研究了其噪声建模的方法。在分析45 nm MOSFET射频小信号等效电路参数提取结果的基础上，建立了该器件漏极电流噪声的简洁模型。该模型完整地表征了决定45 nm器件噪声机理的三个组成部分：本征漏极电流噪声、栅极管脚寄生电阻热噪声和栅漏衬底寄生电磁耦合噪声。噪声测量在验证所建模型准确性和精度的同时，还表明：45 nm MOSFET的本征漏极电流噪声为受抑制的散粒噪声，并且随着栅源偏压的降低受抑制性逐渐减弱直至消失。

来源：2019年第3期

《强激光与粒子束》期刊编辑部

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