强激光与粒子束

作者：周守利, 陈瑞涛, 周赡成, 李如春,

关键词：X~Ku波段, 氮化镓, 驱动放大器, 负反馈, 单片微波集成电路,

基于SiC衬底的0.25 μm GaN HEMT工艺，设计了一款X~Ku波段宽带1 W驱动放大器单片微波集成电路。设计使用了一种有源器件的大信号输出阻抗的等效RC模型验证了GaN HEMT工艺模型的准确性，并获得了不同尺寸的GaN HEMT的大信号输出阻抗。第一级管芯采用负反馈结构，降低匹配网络的Q值，通过带通匹配网络拓扑，实现了宽带匹配。测试结果表明，在28 V的工作电压下，8~18 GHz的频率内驱动放大器实现了输出功率大于30 dBm，功率附加效率大于21%，功率增益大于15 dB。芯片尺寸为：2.20 mm×1.45 mm。该芯片电路具有频带宽、效率高、尺寸小的特点，主要用于毫米波收发组件、无线通讯等领域，具有广泛的应用前景。

来源：2019年第3期

《强激光与粒子束》期刊编辑部

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